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三星计划采用先进3nmGAAFET工艺为AMD代工量产AMD芯片

5月31日消息,AMD 首席执行官苏姿丰在2024年ITF世界大会上分享了公司未来的战略规划,其中一项重要举措是计划在未来的产品中使用3nm级别的GAA工艺。苏姿丰指出,这种前沿技术对于推动芯片性能的持续提升至关重要,并且能够让AMD的产品在竞争激烈的市场中保持领先地位。

三星计划采用先进3nmGAAFET工艺为AMD代工量产AMD芯片

苏姿丰当时说,3nm GAA 晶体管可提升效率及性能,封装、互连(interconnect)技术也有改善,这会让 AMD 产品变得更具成本效益、功耗效率(power efficiency)也较高。

韩媒《韩国经济日报》(Korea Economic Daily)报道,三星代工即将获得 AMD 公司的订单,采用全栅极场效应晶体管(GAAFET)技术生产 AMD 的处理器。

注:该消息并非官方消息源,不过,如果报道属实,这将标志着 AMD 近年来首次采用双源产品。

对 AMD 来说,通过寻找台积电之外的代工厂,可以扩大生产能力,销售更多的产品,建立重要的合作关系,并为与台积电的价格谈判增加筹码。

对三星来说,争取 AMD 成为客户对于缩小与台积电的市场份额差距至关重要。然而,三星与台积电的差距很大,需要多年努力才能不断追赶缩短差距。

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